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一、課題組簡介

實驗室簡介：浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院半導體材料研究室專注于寬禁帶半導體材料相關(guān)的基礎(chǔ)研究，重點突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導體的生長、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導體領(lǐng)域的“卡脖子”技術(shù)難題，推動寬禁帶半導體材料的快速發(fā)展，提高我國在寬禁帶半導體領(lǐng)域的國際競爭力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學術(shù)帶頭人，已有成員50多人。擁有中國科學院院士1人、浙江大學和浙江大學杭州科創(chuàng)中心特聘教授2人、科創(chuàng)百人6人、博士后和技術(shù)開發(fā)專家21人，工程師13人，博士占比54%。2021年研究室在small、acs applied materials and interfaces、journal of materials chemistry a、journal of materials chemistry c、advanced electronic materials等國際期刊發(fā)表sci論文30余篇，申請國家發(fā)明專利60余項，其中授權(quán)11項，申請實用新型專利30余項，其中授權(quán)14項。

主要負責人簡介：黃淵超，求是科創(chuàng)學者（“科創(chuàng)百人計劃”研究員），浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院半導體材料研究室。2014年畢業(yè)于中國石油大學（華東）機電工程學院并獲得學士學位，2019年6月于中國科學技術(shù)大學獲得材料科學與工程博士學位，2020年9月到2022年9月在浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心從事博士后研究。主要研究方向為寬禁帶半導體單晶生長與摻雜?，F(xiàn)已發(fā)表論文20余篇，其中一作/通信論文10篇。

二、重點引進方向:

方向1：半導體材料單晶生長工藝開發(fā)

方向2：半導體材料單質(zhì)生長設(shè)備設(shè)計與開發(fā)

方向3：半導體材料缺陷與雜質(zhì)的第一性原理研究

方向4：半導體材料生長過程分子動力學或蒙特卡洛研究

三、申請條件:

1.具有相關(guān)學科背景，包括微集成電路、微電子、材料、物理、電子科學與技術(shù)等相關(guān)專業(yè)、從事過交叉學科研究者優(yōu)先考慮；

2.近三年內(nèi)獲得博士學位，品學兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；

3.具有良好的團隊合作意識和較強的獨立工作能力；

4.具有良好的英語聽說讀寫能力；

5.保證全職從事博士后研究工作。

四、待遇及保障條件:

1.根據(jù)科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補貼10萬元）；

2.對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助；

3.提供一流的實驗與科學研究條件；

4.協(xié)助申請杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房；

5.工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學者”崗位或技術(shù)開發(fā)崗位；

6.在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。

五、申請材料:

1.個人簡歷；

2.表明研究能力和學術(shù)水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術(shù)論文等）及佐證材料；

3.博士學位論文。

申請人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱：huangyuanchao@zju.edu.cn【快捷投遞：點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】，附件和郵件主題均以“黃淵超課題組+博士后+姓名+今日招聘網(wǎng)jrzp.com”標明。

六、聯(lián)系方式:

聯(lián)系人：徐老師

聯(lián)系電話：0571-82491973

地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號